- 专利标题: 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法
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申请号: CN201810768268.8申请日: 2018-07-13
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公开(公告)号: CN108962981B公开(公告)日: 2022-05-06
- 发明人: 杨学林 , 沈波 , 宋春燕 , 纪攀峰 , 唐军 , 齐胜利 , 潘尧波
- 申请人: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号北京大学;
- 专利权人: 北京大学,合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 当前专利权人: 北京大学,合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号北京大学;
- 主分类号: H01L29/10
- IPC分类号: H01L29/10 ; H01L29/778 ; H01L21/335
摘要:
本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法,通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括,衬底;成核层,设置于所述衬底的上表面;应力和缺陷控制层,设置于所述成核层的上表面;下缓冲层,设置于所述应力和缺陷控制层的上表面;电子阻挡层,设置于所述下缓冲层的上表面;上缓冲层,设置于所述电子阻挡层的上表面;沟道层,设置于所述上缓冲层的上表面;以及势垒层,设置于所述沟道层的上表面。利用本发明,通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层,利用电子阻挡层的势垒阻挡特性,能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中,有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流,提高氮化镓基外延层的可靠性。
公开/授权文献
- CN108962981A 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 公开/授权日:2018-12-07
IPC分类: