- 专利标题： 使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构
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申请号： CN201710302212.9申请日： 2017-05-02
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公开(公告)号： CN108807413B公开(公告)日： 2020-06-23
- 发明人: 肖荣福 , 郭一民 , 陈峻
- 申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
- 专利权人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 当前专利权人： 上海磁宇信息科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
- 代理机构： 上海容慧专利代理事务所
- 代理商 于晓菁
- 主分类号： H01L27/11568
- IPC分类号： H01L27/11568
摘要：
本发明公开了一种使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，包括：以垂直叠加的形式生成的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域；在第三半导体区域正上方邻接地形成有漏极，在第一半导体区域正下方邻接地形成有源极，鳍式栅极以部分地环绕第二半导体区域的方式形成在第二半导体区域周围；其中鳍式栅极与第二半导体区域经由氧化物绝缘物隔开；第一半导体区域和第三半导体区域具有第一掺杂类型，第二半导体区域具有第二掺杂类型。
公开/授权文献
- CN108807413A 使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构 公开/授权日：2018-11-13
IPC分类:
