发明公开
- 专利标题: 发光元件
- 专利标题(英): LIGHT-EMITTING ELEMENT
-
申请号: CN201680077003.2申请日: 2016-12-26
-
公开(公告)号: CN108431970A公开(公告)日: 2018-08-21
- 发明人: 洪俊喜 , 徐在元
- 申请人: LG , 伊诺特有限公司
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: LG,伊诺特有限公司
- 当前专利权人: LG,伊诺特有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 达小丽; 夏凯
- 优先权: 10-2015-0187457 2015.12.28 KR
- 国际申请: PCT/KR2016/015253 2016.12.26
- 国际公布: WO2017/116094 KO 2017.07.06
- 进入国家日期: 2018-06-28
- 主分类号: H01L33/36
- IPC分类号: H01L33/36 ; H01L33/10 ; H01L33/48 ; H01L33/22
摘要:
实施例涉及一种发光元件,该发光元件能够通过增加在第一电极和第一半导体层之间的接触面积使电流容易地扩展并且改进驱动电压,并且包括:发光结构,其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;凹槽,其通过底表面暴露第二半导体层并且并且通过去除发光结构经由侧表面暴露第一半导体层、有源层以及第二半导体层;第一电极,其被连接到在凹槽的底表面处暴露的第一半导体层;第一绝缘图案,其覆盖通过凹槽的侧表面暴露的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第一绝缘图案具有的一端延伸到第一电极的上表面的一部分,并且具有的另一端延伸到第二半导体层的上表面的一部分,使得第一电极的上表面和第二半导体层的上表面被部分地暴露;第一反射层,其被布置在暴露的第二半导体层上;第二反射层,其用于暴露第二半导体层和第一电极;以及第二电极,其被布置在由第二反射层暴露的第二半导体层上。
公开/授权文献
- CN108431970B 发光元件 公开/授权日:2022-02-15
IPC分类: