知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN108313975B 半导体装置及其制造方法 有权

半导体装置及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：底部晶圆；在所述底部晶圆上的牺牲层，所述牺牲层具有露出所述底部晶圆的一部分的第一开口和第二开口；在所述牺牲层上的顶部晶圆，所述顶部晶圆覆盖所述第二开口以形成空腔；在所述顶部晶圆和/或所述第一开口下方的底部晶圆上的第一金属层；在所述第一金属层上的粘合层；和在所述粘合层上的作为焊盘的第二金属层。本发明能够降低焊盘的接触电阻。
摘要（英）：

A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor structure having a bottom substrate, a sacrificial layer on the bottom substrate, and a top substrate on the sacrificial layer. The sacrificial layer has a first opening exposing a first portion of the bottom substrate and a second opening exposing a second portion of the bottom substrate. The method further includes forming a first metal layer on the top substrate and/or on the exposed first portion of the bottom substrate, forming an adhesive layer on the first metal layer, and forming a second metal layer on the adhesive layer defining one or more pads.

公开/授权文献
0/0