- 专利标题: 一种低负偏压高能Ar+刻蚀清洗改善AlTiSiN涂层性能的方法
-
申请号: CN201711479893.2申请日: 2017-12-29
-
公开(公告)号: CN108165925B公开(公告)日: 2020-01-10
- 发明人: 蔡飞 , 方炜 , 张世宏 , 陈默含 , 张林 , 杨英
- 申请人: 马鞍山市安工大工业技术研究院有限公司
- 申请人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区太白大道578号
- 专利权人: 马鞍山市安工大工业技术研究院有限公司
- 当前专利权人: 安徽工业大学科技园有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区太白大道578号
- 代理机构: 合肥昊晟德专利代理事务所
- 代理商 王林
- 主分类号: C23C14/02
- IPC分类号: C23C14/02 ; C23C14/06 ; C23C14/32
摘要:
本发明公开了一种低负偏压高能Ar+刻蚀清洗改善AlTiSiN涂层性能的方法,将多弧离子镀的真空炉抽真空,然后通入Ar气并加热至450℃,开启清洗Ti靶,然后开启阳极靶材,与清洗Ti靶构成正负极牵引电子运动,电子与Ar气碰撞产生Ar+,控制负偏压为‑180V,吸引Ar+对基材表面进行离子轰击,轰击时间为30min;将AlTiSiN复合涂层沉积在处理后的基材上。本发明在低负偏压条件下,仅通过高能Ar离子对基体进行刻蚀清洗,对于AlTiSiN涂层采用本发明的刻蚀清洗工艺可显著提高膜基结合力,改善了涂层抗摩擦磨损性能和切削性能,使得涂层适用于苛刻的高速切削高硬度材料的环境,在刀具及表面防护领域具有重大的应用前景。
公开/授权文献
- CN108165925A 一种低负偏压高能Ar+刻蚀清洗改善AlTiSiN涂层性能的方法 公开/授权日:2018-06-15
IPC分类: