发明授权
- 专利标题： 氧化铝蚀刻停止层的沉积
-
申请号： CN201711119934.7申请日： 2017-11-14
-
公开(公告)号： CN108133880B公开(公告)日： 2022-02-11
- 发明人: 梅里哈·哥德·兰维尔 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 卡普·斯里什·雷迪 , 丹尼斯·M·豪斯曼
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理商 樊英如; 邱晓敏
- 优先权： 15/350,911 20161114 US
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/3205 ; H01L21/3213 ; H01L21/768
摘要：
本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。
公开/授权文献
- CN108133880A 氧化铝蚀刻停止层的沉积 公开/授权日：2018-06-08
IPC分类:
