知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN108123028B 巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结 有权

巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结
摘要：
本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
摘要（英）：

The present disclosure relates to a magnon spin valve device, a magnon sensor, a magnon field effect transistor, a magnon tunnel junction and a magnon memory. A magnon spin valve device may comprise a first ferromagnetic insulation layer, a non-magnetic conductive layer disposed on the first ferromagnetic insulation layer, and a second ferromagnetic insulation layer disposed on the non-magnetic conductive layer.

公开/授权文献
0/0