Invention Grant
- Patent Title: 超导磁体装置
-
Application No.: CN201680052268.7Application Date: 2016-05-25
-
Publication No.: CN108028117BPublication Date: 2019-10-25
- Inventor: 岩本直树 , 田村一 , 井上达也 , 江口谅
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 东芝三菱电机产业系统株式会社,佳能医疗系统株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 于丽
- Priority: 2015-181414 2015.09.15 JP
- International Application: PCT/JP2016/065422 2016.05.25
- International Announcement: WO2017/047164 JA 2017.03.23
- Date entered country: 2018-03-09
- Main IPC: H01F6/02
- IPC: H01F6/02 ; H01F6/04 ; H01F6/06 ; H01L39/04

Abstract:
提供能够使氦消耗量减少并防止骤冷所引起的破损的超导电磁体装置。在将从外部浸入的热传到气态氦(6)的传热部件(7)的上下的至少一方设置以覆盖气态氦(6)的氦气排气管(3a)的方式配置的片状的对流防止件(9),从而在运输时提高热交换性能。在万一发生了骤冷时,对流防止件(9)向排气管的上方升起,从而实现确保气态氦(6)的风道并抑制内压的过大上升。
Public/Granted literature
- CN108028117A 超导磁体装置 Public/Granted day:2018-05-11
Information query