- 专利标题: 基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法
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申请号: CN201711334932.X申请日: 2017-12-14
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公开(公告)号: CN107942436B公开(公告)日: 2019-09-10
- 发明人: 罗先刚 , 蒲明博 , 郭迎辉 , 马晓亮 , 李雄
- 申请人: 中国科学院光电技术研究所
- 申请人地址: 四川省成都市双流350信箱
- 专利权人: 中国科学院光电技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院光电技术研究所
- 当前专利权人地址: 四川省成都市双流350信箱
- 主分类号: G02B6/12
- IPC分类号: G02B6/12
摘要:
本发明公开了一种基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法,用于解决现有的Si波导单向散射依赖于多个结构之间的干涉,且不能实现散射方向切换的问题。该方法通过单个粒子的自旋‑轨道相互作用,在沿波导传播的方向产生符号(正/负)与入射光手性相关的梯度相位,其作用等效为正入射的圆偏振光提供一个横向传播的波矢,从而实现单向散射,通过改变入射光的手性可以实现不同散射方向的切换,避免了对多个结构之间干涉的依赖,使得系统的工作带宽、鲁棒性以及灵活性得到大幅提高。
公开/授权文献
- CN107942436A 基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法 公开/授权日:2018-04-20