发明授权
- 专利标题: 氮化物半导体发光元件用的基台及其制造方法
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申请号: CN201680041909.9申请日: 2016-08-02
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公开(公告)号: CN107851693B公开(公告)日: 2020-02-18
- 发明人: 平野光 , 青崎耕
- 申请人: 创光科学株式会社 , AGC株式会社
- 申请人地址: 日本国石川县
- 专利权人: 创光科学株式会社,AGC株式会社
- 当前专利权人: 日机装株式会社,AGC株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 优先权: 2015-153700 2015.08.03 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/072639 2016.08.02
- 国际公布: WO2017/022755 JA 2017.02.09
- 进入国家日期: 2018-01-16
- 主分类号: H01L33/48
- IPC分类号: H01L33/48 ; H05K3/28
摘要:
防止伴随紫外线发光动作的起因于电极间被填充的树脂的电特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一侧面上被形成的相互地电分离的2个以上金属膜(12、13)而成的基台(10);金属膜为上面和侧壁面被金或铂族金属覆盖,可以搭载1个以上氮化物半导体发光元件等、整体而言被形成包含2个以上电极垫的规定俯视形状,在基材(11)的一侧面上,沿着不被金属膜(12、13)覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12、13)的侧壁面的边界线,至少,与所述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的金属膜(12、13)的侧壁面,由氟树脂膜(16)覆盖,金属膜(12、13)的上面的至少构成电极垫之处,不被氟树脂膜(16)覆盖。
公开/授权文献
- CN107851693A 氮化物半导体发光元件用的基台及其制造方法 公开/授权日:2018-03-27
IPC分类: