应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种应用于J‑R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法,属于半导体材料领域。所述氧化铝陶瓷材料由以下重量份的组分组成:α‑氧化铝82‑88%、二氧化钛7‑10%、氧化镁0.5‑2%、二氧化硅2‑5.5%。上述氧化铝陶瓷的制备方法采用流延成型工艺,得到的氧化铝陶瓷材料体积电阻率在100‑1000V电压范围内能控制在109‑1011Ω·cm之间,可以作为理想的J‑R型静电卡盘的介电材料。
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