- 专利标题: 应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法
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申请号: CN201610603222.1申请日: 2016-07-27
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公开(公告)号: CN107663080B公开(公告)日: 2020-05-08
- 发明人: 杨鹏远 , 朱煜 , 徐登峰 , 许岩 , 侯占杰 , 成荣 , 雷忠兴 , 韩玮琦 , 王建冲 , 唐娜娜
- 申请人: 北京华卓精科科技股份有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学学研综合楼B902室
- 专利权人: 北京华卓精科科技股份有限公司
- 当前专利权人: 北京华卓精科科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学学研综合楼B902室
- 代理机构: 北京头头知识产权代理有限公司
- 代理商 刘锋
- 主分类号: H01L21/683
- IPC分类号: H01L21/683 ; C04B35/10 ; C04B35/622 ; B28B1/29
摘要:
本发明公开了一种应用于J‑R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法,属于半导体材料领域。所述氧化铝陶瓷材料由以下重量份的组分组成:α‑氧化铝82‑88%、二氧化钛7‑10%、氧化镁0.5‑2%、二氧化硅2‑5.5%。上述氧化铝陶瓷的制备方法采用流延成型工艺,得到的氧化铝陶瓷材料体积电阻率在100‑1000V电压范围内能控制在109‑1011Ω·cm之间,可以作为理想的J‑R型静电卡盘的介电材料。
公开/授权文献
- CN107663080A 应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2018-02-06
IPC分类: