发明授权
- 专利标题: 降膜结晶制备电子级碳酸乙烯酯的方法
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申请号: CN201710886239.7申请日: 2017-09-26
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公开(公告)号: CN107629030B公开(公告)日: 2020-01-07
- 发明人: 王红星 , 柴士阳 , 盖晓龙 , 刘伯潭
- 申请人: 天津科技大学
- 申请人地址: 天津市河西区大沽南路1038号
- 专利权人: 天津科技大学
- 当前专利权人: 天津科技大学
- 当前专利权人地址: 天津市河西区大沽南路1038号
- 主分类号: C07D317/38
- IPC分类号: C07D317/38 ; H01M10/0569
摘要:
本发明属于电子级试剂的制备技术领域,涉及一种降膜结晶制备电子级碳酸乙烯酯的方法。本发明提供的降膜结晶制备电子级碳酸乙烯酯的方法,包括逐步降温结晶、分步升温发汗、全部融化和二次结晶等步骤,并将降膜结晶的残留液和发汗残液回收处理,降低了能源消耗,并提升降膜结晶产量及产品纯度,可以使得产品纯度、收率以及综合的装置经济效益最大化;相比于现有技术中添加除醇剂/除杂剂或蒸馏提纯等方式更为经济,效果更好,具有可观的经济效益。
公开/授权文献
- CN107629030A 降膜结晶制备电子级碳酸乙烯酯的方法 公开/授权日:2018-01-26