- 专利标题: 一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of ultrathin molybdenum disulfide nanosheet/silicon nanowire heterojunction structure
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申请号: CN201710620602.0申请日: 2017-07-26
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公开(公告)号: CN107574456A公开(公告)日: 2018-01-12
- 发明人: 张璋 , 胡蝶 , 向杰 , 程鹏飞 , 王新
- 申请人: 肇庆市华师大光电产业研究院
- 申请人地址: 广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦3-304
- 专利权人: 肇庆市华师大光电产业研究院
- 当前专利权人: 肇庆市华师大光电产业研究院
- 当前专利权人地址: 广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦3-304
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 任重
- 主分类号: C25B11/06
- IPC分类号: C25B11/06 ; C25B1/04 ; B01J27/051
摘要:
本发明提供了一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线(SiNWs/MoS2)异质结结构材料的制备方法,包括以下步骤:S1.清洗硅片;S2.通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀硅纳米线阵列;S3.将S2中制备得到的硅纳米线阵列作为衬底,以氧化钼与硫粉末为前驱体,退火生长得到超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料。本发明通过构建超薄二硫化钼(MoS2)纳米片/硅纳米线异质结结构,可以有效的提高二硫化钼的催化活性位点密度,既有效提高了硅纳米线的光催化产氢效率又能增加其催化稳定性。该方法制备工艺简单易行,成本低廉,易于大规模生产。
公开/授权文献
- CN107574456B 一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法 公开/授权日:2020-01-14