一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法
摘要:
本发明提供了一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线(SiNWs/MoS2)异质结结构材料的制备方法,包括以下步骤:S1.清洗硅片;S2.通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀硅纳米线阵列;S3.将S2中制备得到的硅纳米线阵列作为衬底,以氧化钼与硫粉末为前驱体,退火生长得到超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料。本发明通过构建超薄二硫化钼(MoS2)纳米片/硅纳米线异质结结构,可以有效的提高二硫化钼的催化活性位点密度,既有效提高了硅纳米线的光催化产氢效率又能增加其催化稳定性。该方法制备工艺简单易行,成本低廉,易于大规模生产。
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