本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供主体结构，主体结构包括衬底，形成于衬底上的叠层结构；在叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔；对沟道通孔进行填充形成立柱，至与叠层结构的上表面齐平；刻蚀叠层结构至露出立柱顶部，并对露出的立柱顶部进行修剪形成塞结构；形成覆盖塞结构的门极层，及覆盖门极层的第一氧化物层。本发明中的方法，形成的三维存储器的单位单元(Unit Cell)为8列交错排布的沟道通孔，缩小了占用面积，进而降低了晶片的尺寸需求，减小了三维存储器的体积及其制作成本。