基于单模‑多模‑无芯光纤结构的磁场强度检测传感器
摘要:
本发明公开了一种基于单模‑多模‑无芯光纤结构的磁场强度检测传感器,包括:单模光纤;多模光纤,其输入端与单模光纤的输出端熔接;无芯光纤,其一端与多模光纤的输出端偏心熔接;无芯光纤与多模光纤偏心熔接后的不重叠位置处包覆第一金属膜层;无芯光纤的另一端面附着第二金属膜层;无芯光纤的表面包覆超磁致伸缩材料层。将磁场强度检测传感器置于磁场中,磁场强度发生变化,会导致有超磁致伸缩材料薄膜发生形变及波导折射率发生变化,从而引起无芯光纤纵向长度产生微小形变及谐振条件发生变化,使马赫‑泽德混合干涉中一干涉臂光程发生变化导致整个波导干涉条件发生变化,通过光电探测器接收信号,并进行处理即可反推外部环境磁场强度。
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