- 专利标题: 具有在相同金属层上的共享第一和第二全局读字线以及全局写字线的3端口位单元阵列
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申请号: CN201580061935.3申请日: 2015-10-26
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公开(公告)号: CN107004438B公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: N·N·莫江德 , S·S·宋 , Z·王 , P·刘 , K·利姆 , C·F·耶普
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈炜; 袁逸
- 优先权: 14/546,980 2014.11.18 US
- 国际申请: PCT/US2015/057362 2015.10.26
- 国际公布: WO2016/081158 EN 2016.05.26
- 进入国家日期: 2017-05-15
- 主分类号: G11C8/14
- IPC分类号: G11C8/14 ; G11C11/419 ; H01L27/06
摘要:
一种装置包括位单元阵列(202、204、206、208),该位单元阵列包括第一行位单元和第二行位单元。该装置还包括第一全局读字线(240),该第一全局读字线(240)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。该装置进一步包括第二全局读字线(244),该第二全局读字线(244)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。该装置还包括全局写字线(242),该全局写字线(242)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。第一全局读字线、第二全局读字线、以及全局写字线位于共用金属层(M4)中。
公开/授权文献
- CN107004438A 具有在相同金属层上的共享第一和第二全局读字线以及全局写字线的 3 端口位单元阵列 公开/授权日:2017-08-01