- 专利标题： 半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法
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申请号： CN201611093776.8申请日： 2016-12-01
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公开(公告)号： CN106997874B公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: 佐野真二 , 小平悦宏 , 早乙女全纪 , 大西一永
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 孙昌浩; 李盛泉
- 优先权： 2016-006148 20160115 JP
- 主分类号： H01L23/488
- IPC分类号： H01L23/488 ; H01L23/498 ; H01L21/48 ; H01L21/60
摘要：
本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
公开/授权文献
- CN106997874A 半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法 公开/授权日：2017-08-01
IPC分类:
