发明授权
- 专利标题： 于凹入结构内电镀金属的方法
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申请号： CN201610712017.9申请日： 2016-08-24
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公开(公告)号： CN106978617B公开(公告)日： 2022-01-04
- 发明人: 粘耀仁 , 吴钧儒 , 张简旭珂 , 彭郁仁 , 洪奇成 , 王喻生
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 62/279,180 20160115 US 15/132,099 20160418 US
- 主分类号： C25D7/12
- IPC分类号： C25D7/12 ; C25D3/38 ; C25D3/58
摘要：
本发明提供一种于凹入结构内电镀金属的方法。于凹入结构内电镀金属的方法，包含使凹入结构的表面接触包含金属离子、加速剂、抑制剂与整平剂的电镀溶液，其中凹入结构具有至少二个伸长区域及一个交界区域侧向位于此二个伸长区域之间，且加速剂：抑制剂：整平剂的摩尔浓度比为(8‑15)：(1.5‑3)：(0.5‑2)；电镀金属，以形成电镀层于凹入结构内。
公开/授权文献
- CN106978617A 于凹入结构内电镀金属的方法及位于凹入结构内的电镀层 公开/授权日：2017-07-25
