一种基于自耗尽效应的TiO<base:Sub>2</base:Sub>/NPB异质一维纳米棒阵列紫外探测器及其制备方法
摘要:
一种基于自耗尽效应的TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。其从下至上依次由FTO玻璃基底、感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列、Au电极构成;其中,感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列由垂直生长在FTO表面的TiO2一维纳米棒阵列、在TiO2一维纳米棒阵列的空隙间填充的NPB材料组成。在N型TiO2一维纳米棒阵列间填充了P型NPB材料后,暗态下,P‑N异质材料产生自耗尽效应并形成内建电场与耗尽区,材料的载流子浓度降低,器件表现为高电阻状态,使器件的暗电流被有效降低。在紫外光照下,光生载流子分离并积累导致耗尽区变窄并直至消失,器件的自耗尽效应被抵消,保证器件具有较高的增益和光电流。
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