发明授权
- 专利标题: 一种扇出型晶圆级封装结构及其制作方法
-
申请号: CN201611238137.6申请日: 2016-12-28
-
公开(公告)号: CN106847712B公开(公告)日: 2019-06-14
- 发明人: 王祺翔
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 孟金喆; 胡彬
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/31
摘要:
本发明实施例公开了一种扇出型晶圆级封装结构及其制作方法,其中,所述扇出型晶圆级封装结构包括:封装体模块,该封装体模块包括自下而上依次堆叠的至少两个封装单元,封装单元包括至少一个封装芯片以及与该封装芯片电连接的第一重布线层,上下相邻的两个封装单元的重布线层通过模块内连接件电连接,且至少一个封装单元的重布线层延伸至封装体模块的至少一个侧面的边缘;信号互连模块,设置在封装体模块的至少一个侧面,信号互连模块与延伸至边缘的重布线层电连接;电源模块,设置在封装体模块的至少一个侧面,电源模块与延伸至边缘的重布线层电连接。本发明使得扇出型晶圆级封装结构的高堆叠系统级封装中堆叠顶层供电压力减缓,缩小了互连间距。
公开/授权文献
- CN106847712A 一种扇出型晶圆级封装结构及其制作方法 公开/授权日:2017-06-13
IPC分类: