发明公开
CN106786451A 一种模拟电源域ESD保护电路
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种模拟电源域ESD保护电路
- 专利标题(英): Simulation power domain ESD protective circuit
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申请号: CN201611085776.3申请日: 2016-11-30
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公开(公告)号: CN106786451A公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 李志国 , 孙磊
- 申请人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
- 申请人地址: 北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
- 专利权人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
- 当前专利权人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
- 主分类号: H02H9/04
- IPC分类号: H02H9/04

摘要:
本发明涉及微电子学中的集成电路(IC:Integrated Circuit)静电放电(ESD:Electro‑Static Discharge)保护设计技术领域,公开了一种模拟电源域ESD保护电路,应用于多电源域数模混合芯片的ESD电路设计,尤其适用于模拟电源域的ESD电路设计,通过跨电源域触发技术,即实现了对模拟电源域内核电路的ESD保护,也满足芯片的低功耗、抗噪声的要求,同时解决芯片正常工作时ESD放电电路误触发的问题。