本发明公开了一种金属化学机械抛光的方法，该方法具体包括:在具有观察组件的腔体内提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一介电层，在所述介电层中形成凹槽，所述凹槽分别位于所述半导体衬底的P型区域与N型区域上；在所述介电层上形成一金属层，所述金属层填充满所述介电层中的所述凹槽；降低所述腔体内的光照强度至小于10勒克斯，对所述凹槽进行化学机械抛光，移除所述介电层上的所述金属层。本发明通过降低化学机械抛光时腔体内的光照强度，有效避免了金属的光致阳极腐蚀现象，减少了金属表面的下陷，提高了器件性能和良率。