Invention Grant
- Patent Title: Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法
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Application No.: CN201610813712.4Application Date: 2016-09-09
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Publication No.: CN106629820BPublication Date: 2019-05-24
- Inventor: 刘曰利 , 陈克强 , 陈文 , 周静
- Applicant: 武汉理工大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- Assignee: 武汉理工大学
- Current Assignee: 武汉理工大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- Agency: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- Agent 唐万荣; 徐晓琴
- Main IPC: C01G19/00
- IPC: C01G19/00 ; B82Y30/00
![Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法](/CN/2016/1/162/images/201610813712.jpg)
Abstract:
本发明属于纳米材料与纳米技术领域,具体涉及了一种Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法。所述制备方法包括:将醋酸铜、醋酸锌、四氯化锡加入到油胺中,通入氩气保护气体,在一定温度下搅拌使醋酸铜、醋酸锌、四氯化锡完全溶解,得到金属盐的络合溶液;将金属盐的络合溶液加热至设定温度,加入二苯基硫脲的二苯醚溶液进行反应;反应结束后,冷却至室温,反应产物经甲醇清洗后,得到Cu2ZnSnS4纳米晶材料。本发明选取二苯基硫脲为硫源,采用热注入法制备Cu2ZnSnS4纳米晶材料,通过控制前驱体加入的比例得到Cu2ZnSnS4纳米晶材料;通过控制反应温度及反应时间得到不同尺寸的Cu2ZnSnS4纳米晶。
Public/Granted literature
- CN106629820A Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 Public/Granted day:2017-05-10
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IPC分类: