本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、N型插入层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；N型GaN层的生长温度＞N型插入层的生长温度＞有源层的生长温度；N型插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为两种N型掺杂剂的掺杂浓度不同的GaN层交替层叠形成的超晶格结构，其N型掺杂剂的掺杂浓度小于N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度；第二子层为AlGaN层或者至少三层AlGaN层和至少三层GaN层交替层叠形成的超晶格结构；第三子层为InGaN层。本发明的N型插入层起到缓冲作用，有利于有源层生长。