发明授权
- 专利标题: 衬底及其制造方法
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申请号: CN201510708606.5申请日: 2015-10-27
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公开(公告)号: CN106611740B公开(公告)日: 2020-05-12
- 发明人: 王桂磊 , 亨利·H·阿达姆松 , 罗军 , 李俊峰 , 赵超
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京维澳专利代理有限公司
- 代理商 洪余节; 党丽
- 主分类号: H01L21/762
- IPC分类号: H01L21/762 ; H01L27/12
摘要:
本发明提供了一种衬底及其制造方法,包括:提供辅助衬底和支撑衬底,所述辅助衬底上至少包括外延层及所述外延层之上的钝化层,所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层;将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上;去除所述辅助衬底;进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。由于该钝化层能有效保减小该外延层在键合过程中受到的损伤,避免外延层中产生大量的缺陷,提升利用该外延层制造器件的性能及可靠性。
公开/授权文献
- CN106611740A 衬底及其制造方法 公开/授权日:2017-05-03
IPC分类: