- 专利标题: 半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置
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申请号: CN201610796634.1申请日: 2016-08-31
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公开(公告)号: CN106601641B公开(公告)日: 2019-05-17
- 发明人: 染谷满 , 武井学 , 原田信介
- 申请人: 富士电机株式会社 , 国立研究开发法人产业技术总合研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社,国立研究开发法人产业技术总合研究所
- 当前专利权人: 富士电机株式会社,国立研究开发法人产业技术总合研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 金玉兰; 王颖
- 优先权: 2015-204678 2015.10.16 JP
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本发明提供即使对栅极施加AC电压,也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接,源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时,向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压,并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。
公开/授权文献
- CN106601641A 半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置 公开/授权日:2017-04-26
IPC分类: