- 专利标题： 用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层
-
申请号： CN201480081448.9申请日： 2014-09-26
-
公开(公告)号： CN106575519B公开(公告)日： 2021-12-07
- 发明人: M·L·多齐 , K·奥乌兹 , B·S·多伊尔 , C·C·郭 , R·S·周 , S·苏里
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 林金朝; 王英
- 国际申请： PCT/US2014/057865 2014.09.26
- 国际公布： WO2016/048376 EN 2016.03.31
- 进入国家日期： 2017-02-23
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。
公开/授权文献
- CN106575519A 用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层 公开/授权日：2017-04-19
