发明授权
- 专利标题: 一种氧化物薄膜晶体管
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申请号: CN201610961637.6申请日: 2016-11-04
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公开(公告)号: CN106549063B公开(公告)日: 2019-07-05
- 发明人: 李风浪 , 李舒歆
- 申请人: 上海禾馥电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区川沙路151号1幢2层102室
- 专利权人: 上海禾馥电子有限公司
- 当前专利权人: 上海禾馥电子有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区川沙路151号1幢2层102室
- 代理机构: 上海宏京知识产权代理事务所
- 代理商 赵霞
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L29/10
摘要:
本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管,包括:基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级,且源极与漏极相对设置,半导体层分为主半导体层与位于主半导体层上的第二半导体层,第二半导体层导电沟道部分分成两个半导体增强区和位于两个半导体增强区之间的半导体减弱区,有效减小了对导通电流与截至电流优化时的相互影响,增加导通电流,减小截止电流。
公开/授权文献
- CN106549063A 一种氧化物薄膜晶体管 公开/授权日:2017-03-29
IPC分类: