发明授权
CN1065291C 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
- 专利标题（英）： Vacuum heat treatment process of mercury-cadimium-telluriurm molecular beam epitaxial material
-
申请号： CN98111054.1申请日： 1998-09-03
-
公开(公告)号： CN1065291C公开(公告)日： 2001-05-02
- 发明人: 杨建荣 , 王善力 , 陈新强 , 方维政 , 巫艳 , 于梅芳 , 何力
- 申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址： 上海市玉田路500号
- 专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址： 上海市玉田路500号
- 代理机构： 上海华东专利事务所
- 代理商 高毓秋
- 主分类号： C30B33/02
- IPC分类号： C30B33/02
摘要：
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成，热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备，杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%，空穴浓度可在4×1015到5×106cm-3范围内随意控制。同时，材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。
公开/授权文献
- CN1214378A 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法 公开/授权日：1999-04-21
IPC分类:
