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发明授权
CN106486357B 半导体结构的形成方法 有权

半导体结构的形成方法
摘要：
一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成III‑V族半导体材料层；对所述III‑V族半导体材料层进行氮化处理，直至部分厚度的所述III‑V族半导体材料层形成氮化物层；在所述氮化处理后，在所述氮化物层上形成栅介质层。所述半导体结构的形成方法提高所形成的半导体结构性能。
摘要（英）：

The invention provides a forming method of a semiconductor structure. The method comprises the steps as follows: a semiconductor substrate is provided; an III-V semiconductor material layer is formed on the semiconductor substrate; nitriding treatment is carried out on the III-V semiconductor material layer until the partial-thickness III-V semiconductor material layer forms a nitride layer; and a gate dielectric layer is formed on the nitride layer. According to the forming method of the semiconductor structure, the performance of the formed semiconductor structure is improved.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/318 .......由氮化物组成的无机层
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