知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN106363823B 晶片的薄化方法 有权

晶片的薄化方法
摘要：
提供晶片的薄化方法，不用对背面进行磨削便能将由SiC基板构成的在正面上具有多个器件的晶片薄化至规定的厚度。晶片的薄化方法对在SiC基板的第一面上形成有多个器件的晶片进行薄化，该晶片的薄化方法具有如下的步骤：分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的第一面附近，并且使聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；以及晶片薄化步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，从而对具有该第一面的晶片进行薄化。
摘要（英）：

Disclosed herein is a wafer thinning method for thinning a wafer formed from an SiC substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. The wafer thinning method includes a separation start point forming step of applying the laser beam to the second surface as relatively moving the focal point and the SiC substrate to thereby form a modified layer parallel to the first surface and cracks inside the SiC substrate at the predetermined depth, thus forming a separation start point, and a wafer thinning step of applying an external force to the wafer, thereby separating the wafer into a first wafer having the first surface of the SiC substrate and a second wafer having the second surface of the SiC substrate at the separation start point.

公开/授权文献
0/0