半导体器件及其制造方法

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摘要：

本发明提供了半导体器件及其制造方法。使用集成扇出型堆叠封装架构以及参考通孔以提供延伸穿过InFO‑POP架构的参考电压。如果需要，可以露出参考通孔，然后连接至可用于屏蔽InFO‑POP架构的屏蔽涂层。可以通过使用一个或多个分割工艺露出参考通孔的顶面或侧壁来露出参考通孔。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/28	.封装，例如密封层、涂覆物（H01L23/552优先）
H01L23/31	..按配置特点进行区分的