本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有非掺杂的半导体材料层和应力层；步骤S2：在所述应力层中执行源漏注入，以形成源漏区；步骤S3：图案化所述应力层，以形成开口，露出所述半导体材料层；步骤S4：在所述开口的侧壁上形成间隙壁；步骤S5：以所述开口为掩膜，蚀刻所述半导体材料层，以在所述半导体材料层中形成尺寸大于所述开口的凹槽；步骤S6：选用栅极材料填充所述凹槽和所述开口，以形成栅极结构。本发明所述方法进一步降低了为氧化增强扩散，以及由此引起的转移电子效益(TED)和短沟道效应，改善了晶体管沟道的迁移率、结电容和漏结，提高了器件的良率和性能。