Invention Grant
CN106238742B 制造高纵横比银纳米线的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 制造高纵横比银纳米线的方法
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Application No.: CN201610397761.4Application Date: 2016-06-07
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Publication No.: CN106238742BPublication Date: 2018-07-20
- Inventor: R·M·科林斯 , P·T·麦格夫 , W·R·鲍尔
- Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
- Applicant Address: 美国密歇根州
- Assignee: 陶氏环球技术有限责任公司
- Current Assignee: 陶氏环球技术有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国密歇根州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陆蔚; 陈哲锋
- Priority: 62/174639 2015.06.12 US
- Main IPC: B22F9/06
- IPC: B22F9/06 ; B22F9/24 ; B22F1/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
Abstract:
本发明提供一种制造高纵横比银纳米线的方法，其中生产的银固体包含高纵横比银纳米线且耗尽低纵横比银粒子。
Public/Granted literature
- CN106238742A 制造高纵横比银纳米线的方法 Public/Granted day:2016-12-21
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