发明公开
- 专利标题: 半导体器件制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device manufacturing method
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申请号: CN201610182732.6申请日: 2016-03-28
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公开(公告)号: CN106024653A公开(公告)日: 2016-10-12
- 发明人: 冲嶋和彦
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 李辉
- 优先权: 2015-069375 2015.03.30 JP
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60
摘要:
在半导体器件的组装中的导线键合中,通过作为键合工具的楔形件将Al线耦合到引线区段,之后,将楔形件从引线区段的顶部退出,并且刀具被降下并使Al线在这种状态下被切断。在随着刀具的降下而同时降下的止挡件已撞击引线区段这一时间点停止刀具的降下,并且通过刀具降下的停止而终止Al线的切割。
公开/授权文献
- CN106024653B 半导体器件制造方法 公开/授权日:2020-09-25
IPC分类: