发明授权
- 专利标题: 一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置
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申请号: CN201610581744.6申请日: 2016-07-22
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公开(公告)号: CN106012007B公开(公告)日: 2018-03-13
- 发明人: 尹长浩 , 熊震 , 刘超
- 申请人: 天合光能股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 专利权人: 天合光能股份有限公司
- 当前专利权人: 天合光能有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 代理机构: 浙江永鼎律师事务所
- 代理商 郭小丽
- 主分类号: C30B28/06
- IPC分类号: C30B28/06 ; C30B29/06
摘要:
本发明公开了一种强制对流生长晶体硅的方法及装置,通过在多晶硅铸锭过程中,在硅熔体中通过机械搅拌直接引入强制对流,降低硅熔体水平温度梯度,提供分凝作用的排杂效果,使用氮化硅作为制作搅拌硅熔体的叶轮和支撑轴;同时,在晶体生长过程中通过氮化硅叶轮的降低来测量晶体生长速率,在不污染及硅熔体的基础上实现对晶体生长速率的测量,从而改善后续晶体生长条件;随着晶体不断生长,调节叶轮的转速和距离晶体的高度,从而维持晶体上方硅熔体的稳定对流。
公开/授权文献
- CN106012007A 一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置 公开/授权日:2016-10-12
IPC分类: