一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置
摘要:
本发明公开了一种强制对流生长晶体硅的方法及装置,通过在多晶硅铸锭过程中,在硅熔体中通过机械搅拌直接引入强制对流,降低硅熔体水平温度梯度,提供分凝作用的排杂效果,使用氮化硅作为制作搅拌硅熔体的叶轮和支撑轴;同时,在晶体生长过程中通过氮化硅叶轮的降低来测量晶体生长速率,在不污染及硅熔体的基础上实现对晶体生长速率的测量,从而改善后续晶体生长条件;随着晶体不断生长,调节叶轮的转速和距离晶体的高度,从而维持晶体上方硅熔体的稳定对流。
公开/授权文献
0/0