Invention Grant
- Patent Title: 高延伸率银基电接触材料及其制备方法
-
Application No.: CN201610394031.9Application Date: 2016-06-03
-
Publication No.: CN105908105BPublication Date: 2018-01-16
- Inventor: 张玲洁 , 沈涛 , 杨辉 , 管秉钰 , 樊先平 , 章之树
- Applicant: 浙江大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Assignee: 浙江大学
- Current Assignee: 浙江大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Agency: 杭州中成专利事务所有限公司
- Agent 周世骏
- Main IPC: C22C49/02
- IPC: C22C49/02 ; C22C49/14 ; C22C47/14 ; H01H1/0233 ; H01H1/0237 ; C22C101/14

Abstract:
本发明涉及金属基复合材料技术,旨在提供一种高延伸率银基电接触材料及其制备方法。该原料配方是由重量百分含量计算的下述组分组成:银粉84~88%、碳化硅晶须1~8%、铜纤维2~6%、纳米二氧化硅溶胶1~12.9%、表面改性剂0.1~1%。本发明通过纳米二氧化硅溶胶改性,在银基体中形成连续网络结构,充分发挥了碳化硅晶须和铜纤维的优良性质,提高了银基电接触材料的延伸率、电导率和抗拉强度,进而弥补了现有环保型银基电接触材料可加工性能差、电阻率高等不足。本发明的制备过程环保、操作简单、成本较低。在达到同等性能的条件下,可以降低电接触材料中银的使用量,从而节约贵金属资源。
Public/Granted literature
- CN105908105A 高延伸率银基电接触材料及其制备方法 Public/Granted day:2016-08-31
Information query