发明授权
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201580002955.3申请日： 2015-06-11
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公开(公告)号： CN105793991B公开(公告)日： 2019-03-19
- 发明人: 小野泽勇一
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 金玉兰; 王颖
- 优先权： 2014-121425 2014.06.12 JP
- 国际申请： PCT/JP2015/066950 2015.06.11
- 国际公布： WO2015/190579 JA 2015.12.17
- 进入国家日期： 2016-06-06
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/265 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明提供一种半导体装置，其在半导体基板(100)的一侧的主面(正面)的表面层，从正面侧形成有n‑型漂移层(1)、p+型基极层(4)、p+型浮置层(30)、n+型发射层(5)、发射电极(12)、隔着栅绝缘膜(6)而填充有栅电极(11)的沟槽(7)，在半导体基板(100)的另一侧的主面(背面)的表面层，形成有p+型集电层(3)、与p+型集电层(3)接触的集电极(13)，并且从p+型集电层(3)朝向正面的表面侧形成有n型硒掺杂场终止层(21)和n型质子掺杂场终止层(20)。由此，能够抑制IGBT的关断振动、二极管的反向恢复时的振动，以及漏电流的增大，而能够降低电损耗。
公开/授权文献
- CN105793991A 半导体装置 公开/授权日：2016-07-20
IPC分类:
