一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
摘要:
本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法,该硅异质结太阳能电池包括:晶硅衬底,在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线,焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条,在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜,以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条;与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比,省去利用银浆材料制作的背栅线,在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条,这样,不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺,还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列(用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00)
H01L31/05 ...光伏模块中光伏电池之间的电互连装置,例如,光伏电池的串联连接(电极入H01L 31/0224;形成在共同衬底上的薄膜太阳能电池的电互连入H01L 31/046;用于模块中相邻薄膜太阳能电池的电互连的特殊结构入H01L 31/0465;专门适用于电连接两个或多个光伏模块的电互连装置入H02S 40/36)
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