发明授权
- 专利标题: 一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备
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申请号: CN201610268488.5申请日: 2016-04-27
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公开(公告)号: CN105714173B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 刘永生 , 司晓东 , 王玟苈 , 卢晓飞 , 于文英 , 沈毓龙 , 徐燕 , 孙万荣 , 高湉
- 申请人: 上海电力学院
- 申请人地址: 上海市杨浦区平凉路2103号
- 专利权人: 上海电力学院
- 当前专利权人: 上海电力学院
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区平凉路2103号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 林君如
- 主分类号: C22C30/02
- IPC分类号: C22C30/02 ; C22C1/02 ; C22F1/16 ; C09K5/14
摘要:
本发明涉及一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备,所述的磁制冷材料的分子通式为MnCoGe1‑xCux,其中,x的取值范围为0.005~0.05;通过以下步骤制备而成:(1)按照摩尔比1:1:(1‑x):x称取锰、钴、锗和铜材料,惰性气体保护下加热熔融并混合均匀,得到混合样品;(2)取出混合样品,退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明具有磁制冷材料的居里温度和磁热效应良好,磁制冷材料为二级相变材料,有效的避免来一级相变材料带来的热滞问题,制备简单易行等优点。
公开/授权文献
- CN105714173A 一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备 公开/授权日:2016-06-29