发明授权
- 专利标题: 半导体器件
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申请号: CN201510868768.5申请日: 2015-12-02
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公开(公告)号: CN105679837B公开(公告)日: 2018-07-13
- 发明人: 杰伦·安东·克龙 , 西恩拉德·科内利斯·塔克
- 申请人: 安世有限公司
- 申请人地址: 荷兰奈梅亨
- 专利权人: 安世有限公司
- 当前专利权人: 安世有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰奈梅亨
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 麦善勇; 张天舒
- 优先权: 14196049.2 2014.12.03 EP
- 主分类号: H01L29/872
- IPC分类号: H01L29/872 ; H01L23/552 ; H01L23/495 ; H01L21/60
摘要:
描述了一种半导体器件以及制作该半导体器件的方法。所述半导体器件包括安装在载体上的半导体衬底。所述半导体衬底包括肖特基二极管。所述肖特基二极管具有阳极和阴极。所述半导体器件还包括将阴极连接到载体的第一导电部分的一个或多个接合线。所述半导体器件还包括将阳极连接到载体的第二导电部分的一个或多个接合线。载体的第一导电部分与载体的第二导电部分电隔离。载体的第一导电部分被配置为在器件操作期间对与对阳极的切换相关联的电磁干扰提供屏蔽。阴极和载体的第一导电部分两者都与半导体衬底的背侧电隔离。
公开/授权文献
- CN105679837A 半导体器件 公开/授权日:2016-06-15
IPC分类: