- 专利标题: 一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法
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申请号: CN201510997799.0申请日: 2015-12-25
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公开(公告)号: CN105622087B公开(公告)日: 2018-05-18
- 发明人: 何金良 , 胡军 , 曾嵘
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园一号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园一号
- 代理机构: 重庆百润洪知识产权代理有限公司
- 代理商 刘立春
- 主分类号: H01L41/187
- IPC分类号: H01L41/187 ; C04B35/453 ; C04B35/626 ; C04B35/64
摘要:
一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、Ga(NO3)3、硝酸铝Al(NO3)3。其有益效果是:泄漏电流得到抑制;Al和Ga元素的共同添加使得本配方制作的ZnO压敏电阻的老化性能更加稳定,消除了单纯添加Ag离子带来的压敏电阻老化性能不稳定的不足之处。
公开/授权文献
- CN105622087A 一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法 公开/授权日:2016-06-01
IPC分类: