- 专利标题: 在脉冲双磁控管溅射(DMS)工艺中平衡靶消耗的系统和方法
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申请号: CN201480040877.1申请日: 2014-07-16
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公开(公告)号: CN105555990B公开(公告)日: 2018-01-09
- 发明人: D·克里斯蒂
- 申请人: 先进能源工业公司
- 申请人地址: 美国科罗拉多州
- 专利权人: 先进能源工业公司
- 当前专利权人: 先进工程解决方案全球控股私人有限公司
- 当前专利权人地址: 美国科罗拉多州
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 苗征; 于辉
- 优先权: 61/847,498 2013.07.17 US
- 国际申请: PCT/US2014/046906 2014.07.16
- 国际公布: WO2015/009864 EN 2015.01.22
- 进入国家日期: 2016-01-18
- 主分类号: C23C14/00
- IPC分类号: C23C14/00 ; C23C14/34 ; C23C14/54 ; H01J37/34
摘要:
本发明公开了一种溅射系统和方法。所述系统具有至少一个具有第一磁控管和第二磁控管的双磁控管对,配置每个磁控管以支持靶材。所述系统还具有DMS组件,该DMS组件具有与开关组件和电压传感器连接的直流电源。配置所述DMS组件以独立地控制对每个磁控管的功率的施加,以及提供每个磁控管的电压的测量。所述系统还具有一个或多个致动器,配置所述致动器以使用由所述DMS组件提供的测量控制每个磁控管的电压。配置所述DMS组件和所述一个或多个致动器以响应每个磁控管的电压的测量,通过控制施加到每个磁控管的功率和电压,平衡靶材的消耗。
公开/授权文献
- CN105555990A 在脉冲双磁控管溅射(DMS)工艺中平衡靶消耗的系统和方法 公开/授权日:2016-05-04
IPC分类: