发明授权
- 专利标题: 半导体激光模块
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申请号: CN201480049363.2申请日: 2014-09-12
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公开(公告)号: CN105518505B公开(公告)日: 2018-03-30
- 发明人: 石毛悠太 , 早水尚树 , 片山悦治 , 木村俊雄
- 申请人: 古河电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人: 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王亚爱
- 优先权: 2014-026241 2014.02.14 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/074306 2014.09.12
- 国际公布: WO2015/037725 JA 2015.03.19
- 进入国家日期: 2016-03-08
- 主分类号: G02B6/42
- IPC分类号: G02B6/42 ; H01S5/022
摘要:
半导体激光模块(100)具备:半导体激光元件(104‑1~6),其输出激光;光纤(112),其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部,从一端入射所述激光,将该激光导波到该半导体激光模块的外部;光学部件(116),其配置在所述光纤的外周,将所述光纤固定;第1固定剂,其将所述光学部件和所述光纤粘固;光吸收体(117),其配置在所述光学部件的外周,将该光学部件固定;第1光阻断部(113),其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间;和筐体(101),其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部,所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性,所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。由此提供可靠性高的半导体激光模块。
公开/授权文献
- CN105518505A 半导体激光模块 公开/授权日:2016-04-20