- 专利标题： 从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具
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申请号： CN201480049194.2申请日： 2014-09-05
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公开(公告)号： CN105518190B公开(公告)日： 2021-08-27
- 发明人: R·V·德切夫 , P·萨坦纳日哈瓦 , A·M·安德凯威 , D·S·李特尔
- 申请人： GTAT公司
- 申请人地址： 美国新罕布什尔州
- 专利权人： GTAT公司
- 当前专利权人： GTAT公司
- 当前专利权人地址： 美国新罕布什尔州
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟
- 优先权： 61/874,606 20130906 US
- 国际申请： PCT/US2014/054262 2014.09.05
- 国际公布： WO2015/035145 EN 2015.03.12
- 进入国家日期： 2016-03-07
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B23/00
摘要：
本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物，于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。
公开/授权文献
- CN105518190A 从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具 公开/授权日：2016-04-20
IPC分类:
