Invention Grant
CN105441985B 一种V-Ti基储氢合金的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种V-Ti基储氢合金的制备方法
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Application No.: CN201510783896.XApplication Date: 2015-11-16
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Publication No.: CN105441985BPublication Date: 2017-11-10
- Inventor: 王斌 , 杜金晶 , 俞娟 , 方钊 , 武小雷
- Applicant: 西安建筑科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔路13号
- Assignee: 西安建筑科技大学
- Current Assignee: 西安建筑科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔路13号
- Agency: 西安恒泰知识产权代理事务所
- Agent 李郑建; 孙雅静
- Main IPC: C25C3/36
- IPC: C25C3/36 ; C22C1/03 ; H01M4/38

Abstract:
本发明公开了一种V‑Ti基储氢合金的制备方法,依次采用熔盐电解法和真空熔炼法进行V‑Ti基储氢合金的制备;所述的熔盐电解法的阴极采用钒氧化物、钛氧化物、添加剂和粘结剂烧结制成,将烧结制得的阴极与石墨阳极在熔盐电解质中进行熔盐电解反应得到V‑Ti中间合金;再将V‑Ti中间合金进行真空精炼即得V‑Ti基储氢合金。本发明以较廉价的金属氧化物为原料进行V‑Ti基储氢合金制备,有助于降低合金的制备成本,本发明制备合金,成份灵活可调、工艺简单、杂质含量低,本发明不产生废渣、烟尘,对环境友好。
Public/Granted literature
- CN105441985A 一种V-Ti基储氢合金的制备方法 Public/Granted day:2016-03-30
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