- 专利标题: 用于过程监视及良率管理的所计算电性能度量
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申请号: CN201480042175.7申请日: 2014-06-25
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公开(公告)号: CN105431932B公开(公告)日: 2019-02-22
- 发明人: 高翔 , 菲利浦·伏兰纳 , 利奥尼德·波斯拉夫斯基 , 狄明 , 赵强 , 史考特·培纳尔
- 申请人: 科磊股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 61/839,708 2013.06.26 US
- 国际申请: PCT/US2014/044148 2014.06.25
- 国际公布: WO2014/210194 EN 2014.12.31
- 进入国家日期: 2016-01-26
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本文中呈现基于最终装置性能的预测而对半导体装置制造的过程控制及良率管理的方法及系统。基于一或多个装置性能模型而计算所估计装置性能度量值,所述一或多个装置性能模型将能够在过程期间测量的参数值与最终装置性能度量联系在一起。在一些实例中,装置性能度量的所估计值是基于非成品多层晶片的至少一个结构特性及至少一个带结构特性。在一些实例中,对正进行处理的装置是否将不能通过最终装置性能测试的预测是基于最终装置性能度量的所估计值与所规定值之间的差异。在一些实例中,至少部分地基于所述差异而确定一或多个后续过程步骤中的调整。
公开/授权文献
- CN105431932A 用于过程监视及良率管理的所计算电性能度量 公开/授权日:2016-03-23
IPC分类: