半导体装置及改善字元线电阻与减少硅化物桥接的方法

发明授权

CN105405848B 半导体装置及改善字元线电阻与减少硅化物桥接的方法有权

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专利标题： 半导体装置及改善字元线电阻与减少硅化物桥接的方法
申请号： CN201410431357.5

申请日： 2014-08-28
公开(公告)号： CN105405848B

公开(公告)日： 2019-07-30
发明人: 陈冠智 , 林正伟 , 刘光文
申请人： 旺宏电子股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
专利权人： 旺宏电子股份有限公司
当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
代理商 任岩
主分类号： H01L27/11526
IPC分类号： H01L27/11526 ; H01L23/522

摘要：

本发明是有关于一种半导体装置及改善字元线电阻与减少硅化物桥接的方法。该方法在将硅化物区域的形成加入至一半导体中时，通过在形成硅化物区域的步骤之前，先暴露出半导体的主动区域的一部份，可使具有一硅化物层的一半导体的字元线电阻改善，并且减少硅化物桥接的形成。

摘要（英）：

The invention relates to a semiconductor device and method for improving character line resistance and reducing silicide bridge. According to the invention, a part of an active region of a semiconductor is firstly exposed before the forming of a silicide region when the forming of the silicide region is added in the semiconductor, and the method can improve the character line resistance of the semiconductor with a silicide layer and reduces the forming of the silicide bridge.

公开/授权文献

CN105405848A 半导体装置及改善字元线电阻与减少硅化物桥接的方法公开/授权日：2016-03-16

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04	..其衬底为半导体的
H01L27/10	...在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105	....包含场效应组件的
H01L27/112	.....只读存储器结构的
H01L27/115	...... · · · · ·电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517	....... · · · · · ·具有浮栅的
H01L27/11526	........ · · · · · · ·以外围电路区为特征的