Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置
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Application No.: CN201380078314.7Application Date: 2013-07-16
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Publication No.: CN105393354BPublication Date: 2018-05-25
- Inventor: 荒木慎太郎 , 爱甲光德 , 白泽敬昭 , 哈利德·哈桑·候赛因
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 何立波; 张天舒
- International Application: PCT/JP2013/069311 2013.07.16
- International Announcement: WO2015/008333 JA 2015.01.22
- Date entered country: 2016-01-18
- Main IPC: H01L25/07
- IPC: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/48 ; H02M7/00

Abstract:
具有:由导电体形成的第1基板;第1二极管,其具有第1阴极电极和第1阳极电极,该第1阴极电极与该第1基板电连接;由导电体形成的第2基板;第1开关元件,其具有第1发射极电极以及第1集电极电极,该第1集电极电极与该第2基板电连接;第2开关元件,其具有第2发射极电极以及第2集电极电极,该第2集电极电极与该第2基板电连接;第1端子,其与该第2基板电连接;第2端子,其与该第1阳极电极电连接;第3端子,其与该第1发射极电极、该第2发射极电极以及该第1基板电连接;以及模塑树脂,其使该第1端子、该第2端子以及该第3端子的一部分露出在外部,并将该第1二极管、该第1开关元件以及该第2开关元件覆盖。
Public/Granted literature
- CN105393354A 半导体装置 Public/Granted day:2016-03-09
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IPC分类: