本发明提供了制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成透明导电氧化物薄膜，其中，一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。发明人发现，利用本发明的该方法，能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜，且步骤简单，操作容易、方便快捷，制备获得的透明导电氧化物薄膜具有较高的光透过率、高雾度和较高的均匀性。